Общие
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | EEPROM |
| Время доступа | 100 ns |
| Базовый Part Number | R1EV58064 |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | R1EV58064BxxN |
| Время цикла записи | 10ms |
Renesas Electronics Corporation
R1EV58064BDANBI#B2
Память и хранение данных
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 64Kbit |
|---|---|
| Формат памяти | EEPROM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 2.7V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 8K x 8 |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 28-DIP (0.600", 15.24mm) |
| Корпус производителя | 28-DIP |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|