Renesas Electronics Corporation
MOSFET N-CH 55V 90A TO262-3
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 45A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7350 pF @ 25 V |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 55 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.8W (Ta), 176W (Tc) |
| Package / Case | TO-262-3 Full Pack, I2PAK |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-262-3 |
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
|---|