Renesas Electronics Corporation
MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 25A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.2W (Ta), 84W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус производителя | TO-252 (MP-3ZK) |
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
|---|