NP50N04YUK-E1-AY

Name: NP50N04YUK-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation

Аналоговые и силовые компоненты

LOW VOLTAGE POWER MOSFET

В производстве8-PowerLDFNАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 25A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3200 pF @ 25 V
Производитель	Renesas Electronics Corporation
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Напряжение сток-исток	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	1W (Ta), 97W (Tc)

Корпус	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)