Общие
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.7dB @ 1GHz |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
Renesas Electronics Corporation
NESG340033-T1B-A
Аналоговые и силовые компоненты
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.5V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 15mA, 3.3V |
| Power - Max | 480mW |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 12dB |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус производителя | 3-MINIMOLD |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|