Общие
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN |
Renesas Electronics Corporation
NESG2101M05-T1-A
Аналоговые и силовые компоненты
NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 15mA, 2V |
| Power - Max | 500mW |
| Frequency - Transition | 17GHz |
| Gain | 11dB ~ 19dB |
Механические
| Package / Case | SOT-343F |
|---|---|
| Корпус производителя | M05 |