Общие
| Конфигурация | N-Channel |
|---|---|
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Noise Figure | 0.85dB |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | GaAs HJ-FET |
Renesas Electronics Corporation
NE3521M04-T2-A
Аналоговые и силовые компоненты
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Rated | 4 V |
|---|---|
| Voltage - Test | 2 V |
| Current - Test | 6 mA |
| Current Rating (Amps) | 70mA |
| Частота | 20GHz |
| Gain | 11dB |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |