Общие
| Конфигурация | N-Channel |
|---|---|
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Noise Figure | 0.65dB |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | GaAs HJ-FET |
Renesas Electronics Corporation
NE3513M04-T2B-A
Аналоговые и силовые компоненты
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Power - Output | 125mW |
|---|---|
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 60mA |
| Частота | 12GHz |
| Gain | 13dB |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Корпус производителя | 4-Super Mini Mold |