NE3512S02-T1D-A

Renesas Electronics Corporation

NE3512S02-T1D-A

Аналоговые и силовые компоненты

RF MOSFET HFET 2V S02

Устаревший4-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Noise Figure0.35dB
Product StatusObsolete
ТехнологияHFET

Электрические

Voltage - Rated4 V
Voltage - Test2 V
Current - Test10 mA
Current Rating (Amps)70mA
Частота12GHz
Gain13.5dB

Механические

КорпусBulk
Package / Case4-SMD, Flat Leads
Корпус производителяS02