N0607N-ZK-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

N0607N-ZK-E1-AY

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

ABU / MOSFET

В производствеTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 32.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3300 pF @ 25 V
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1W (Ta), 87.4W (Tc)

Механические

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252

Среда

Рабочая температура150°C