Общие
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Время доступа | 35 ns |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Last Time Buy |
| Время цикла записи | 35ns |
Renesas Electronics Corporation
M3008316035NX0PBCR
DatasheetПамять и хранение данных
M3008316 8MB PARALLEL ASYNCHRONO
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 8Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | RAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 2.7V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 512K x 16 |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 484-BGA |
| Корпус производителя | 484-CABGA (23x23) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
|---|