ISL55110IRZ

Renesas Electronics Corporation

ISL55110IRZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC HALF BRIDGE DRVR 100MA 16QFN

В производстве16-TFQFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Конфигурация выходаHalf Bridge (2)
Rds On (Typ)3Ohm
ПримененияDigital Imaging
ИнтерфейсLogic
Load TypeCapacitive and Resistive
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияPower MOSFET

Электрические

Выходной ток на канал100mA
Current - Peak Output3.5A
Напряжение нагрузки5V ~ 13.2V
Напряжение питания2.7V ~ 5.5V

Механические

КорпусTube
Package / Case16-TFQFN Exposed Pad
Корпус производителя16-QFN (4x4)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)