ISL2100AABZ

Renesas Electronics Corporation

ISL2100AABZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberISL2100
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)10ns, 10ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)2A, 2A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114 V
Logic Voltage - VIL, VIH3.7V, 7.4V
Напряжение питания9V ~ 14V

Механические

КорпусTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 125°C (TJ)