HIP2211FBZ-T

Renesas Electronics Corporation

HIP2211FBZ-T

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

100V/4A HI/LI HALF BRIDGE DRIVER

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberHIP2211
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)20ns, 20ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)3A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)115 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.47V, 1.84V
Напряжение питания6V ~ 18V

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 125°C (TJ)