HIP2106AIRZ

Renesas Electronics Corporation

HIP2106AIRZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

Снят с производства10-VFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberHIP2106
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusLast Time Buy

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)-, 4A
Logic Voltage - VIL, VIH1.3V, 1.9V
Напряжение питания4.5V ~ 5.5V

Механические

КорпусTube
Package / Case10-VFDFN Exposed Pad
Корпус производителя10-DFN (3x3)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)