Renesas Electronics Corporation
4.4A, 20V, P-CHANNEL MOSFET
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.05W (Ta) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
|---|---|
| Корпус производителя | 6-TSOP |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|