Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 7.5A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | HAF1002 |
| FET Type | P-Channel |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +3V, -16V |

Renesas Electronics Corporation
MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 7.5A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | HAF1002 |
| FET Type | P-Channel |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +3V, -16V |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 50W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SC-83 |
| Корпус производителя | LDPAK |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|