HAF1002-90STL-E

Renesas Electronics Corporation

HAF1002-90STL-E

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK

В производствеSC-83Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 7.5A, 10V
Базовый Part NumberHAF1002
FET TypeP-Channel
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+3V, -16V

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность50W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-83
Корпус производителяLDPAK

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)