Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 30A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5450 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W (Ta), 84W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус производителя | TO-251 |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|