2SK1317-E

Renesas Electronics Corporation

2SK1317-E

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 2A, 15V
Базовый Part Number2SK1317
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds990 pF @ 10 V
ПроизводительRenesas Electronics Corporation
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Электрические

Напряжение сток-исток1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность100W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-3P

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)