Общие
| FET Type | P-Channel |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
Renesas Electronics Corporation
2SJ162-E
DatasheetАналоговые и силовые компоненты
MOSFET P-CH 160V 7A TO3P
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 160 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100W (Tc) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус производителя | TO-3P |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|