Общие
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 1mA, 1A |
Renesas Electronics Corporation
2SD1695-AZ
Аналоговые и силовые компоненты
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 1.3 W |
Механические
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-126 |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|