Общие
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 1.5mA, 1.5A |
Renesas Electronics Corporation
2SB1150-AZ
Аналоговые и силовые компоненты
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1.5A, 2V |
| Power - Max | 1.3 W |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Корпус производителя | TO-126 |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|