Общие
| Производитель | Renesas Electronics Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A |
Renesas Electronics Corporation
2SB1117-AZ
Аналоговые и силовые компоненты
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 280MHz |
Механические
| Package / Case | 3-SSIP |
|---|
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|