Общие
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | Renesas Electronics America Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | Internal |
| Product Status | Active |
| Серия | V850E2/Dx4 |
Renesas Electronics America Inc
UPD70F3525GJA9-GAE-H
DatasheetМикроконтроллеры и встраиваемые системы
UPD70F3525GJA9-GAE-H
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Ядро процессора | V850E2M |
|---|---|
| Разрядность ядра | 32-Bit |
| Скорость | 120MHz |
| Объем программной памяти | 2MB (2M x 8) |
| Объем RAM | 192K x 8 |
| Периферия | DMA, I²S, LCD, LVD, POR, PWM, WDT |
| Интерфейсы | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, LINbus, SCI, SPI, SSI, UART/USART, USB |
| Количество I/O | 105 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
| Преобразователи данных | A/D 16x12b |
Механические
| Объем EEPROM | 32K x 8 |
|---|---|
| Корпус | Bulk |
| Package / Case | 144-LQFP |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~105°C(TA) |
|---|