UPA2815T1S-E2-AT

Name: UPA2815T1S-E2-AT
Brand: Renesas Electronics America Inc

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 21A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1760 pF @ 10 V
Производитель	Renesas Electronics America Inc
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V

Напряжение сток-исток	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	1.5W (Ta)

Рабочая температура	150°C(TJ)