Renesas Electronics America Inc
MOSFET P-CH 30V 3.4A UPAK
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.7A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +8V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.5W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-243AA |
| Корпус производителя | UPAK |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|