RMLV0816BGSD-4S2#AA1

Renesas Electronics America Inc

RMLV0816BGSD-4S2#AA1

Datasheet

Память и хранение данных

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II

В производстве52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)Память и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиVolatile
ТехнологияSRAM
Время доступа45 ns
Базовый Part NumberRMLV0816
ПроизводительRenesas Electronics America Inc
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Время цикла записи45ns

Электрические

Объем памяти8Mbit
Формат памятиSRAM
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания2.4V ~ 3.6V
Memory Organization1M x 8, 512K x 16

Механические

КорпусTray
Package / Case52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Корпус производителя52-TSOP II

Среда

Рабочая температура-40°C~85°C(TA)