RJP65T43DPM-00#T1

Renesas Electronics America Inc

RJP65T43DPM-00#T1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

ABU / IGBT

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge70 nC
IGBT TypeTrench
Тип входаStandard
ПроизводительRenesas Electronics America Inc
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy170µJ (on), 110µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C30ns/107ns
Test Condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Power - Max68.8 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-3PFM

Среда

Рабочая температура175°C(TJ)