RJK60S5DPK-M0#T0

Renesas Electronics America Inc

RJK60S5DPK-M0#T0

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PSG

УстаревшийTO-3P-3, SC-65-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs178mOhm @ 10A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 25 V
ПроизводительRenesas Electronics America Inc
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Корпус производителяTO-3PSG