Renesas Electronics America Inc
MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 50A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 75 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220AB |
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|