Renesas Electronics America Inc
MOSFET N-CH 25V 50A 8DFN
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 25A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6130 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 25 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 50W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 8-DFN (5x6) |
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|