Renesas Electronics America Inc
RJH1CV7DPQ - IGBT 1200V 70A
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 166 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200 ns |
| Switching Energy | 3.2mJ (on), 2.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 53ns/185ns |
| Test Condition | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Power - Max | 320 W |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247 |
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|