Общие
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | Renesas Electronics America Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | External |
| Product Status | Active |
Renesas Electronics America Inc
R7FA2E2A74CBY#HC1
DatasheetМикроконтроллеры и встраиваемые системы
RA2E2 GROUP
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Ядро процессора | ARM® Cortex®-M23 |
|---|---|
| Разрядность ядра | 32-Bit |
| Скорость | 48MHz |
| Объем программной памяти | 64KB (64K x 8) |
| Объем RAM | 8K x 8 |
| Периферия | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
| Интерфейсы | I²C, SPI, UART/USART |
| Количество I/O | 12 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 1.6V ~ 5.5V |
| Преобразователи данных | A/D 4x12b SAR |
Механические
| Объем EEPROM | 2K x 8 |
|---|---|
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 16-UFBGA, WLCSP |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TA) |
|---|