Общие
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | High-Side or Low-Side |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| Тип входа | TTL |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 1 |
| Product Status | Obsolete |
Renesas Electronics America Inc
R2J20657NP#G3
Аналоговые и силовые компоненты
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 25 V |
|---|---|
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2.6V |
| Напряжение питания | 4.5V ~ 16V |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 40-WFQFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 40-QFN (6x6) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~150°C(TJ) |
|---|