R1RW0416DGE-2PR#B1

Renesas Electronics America Inc

R1RW0416DGE-2PR#B1

Datasheet

Память и хранение данных

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

В производстве44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)Память и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиVolatile
ТехнологияSRAM
Время доступа12 ns
Базовый Part NumberR1RW0416
ПроизводительRenesas Electronics America Inc
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Время цикла записи12ns

Электрические

Объем памяти4Mbit
Формат памятиSRAM
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания3V ~ 3.6V
Memory Organization256K x 16

Механические

КорпусTube
Package / Case44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Корпус производителя44-SOJ

Среда

Рабочая температура0°C~70°C(TA)