Renesas Electronics America Inc
MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 41.5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9820 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 40 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 83A (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | TO-263 |