NP75N04YLG-E1-AY

Name: NP75N04YLG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America Inc

Аналоговые и силовые компоненты

ABU / MOSFET

В производстве8-PowerLDFNАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 38A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6450 pF @ 25 V
Производитель	Renesas Electronics America Inc
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	138W (Ta)

Рабочая температура	175°C