Renesas Electronics America Inc
ABU / MOSFET
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 8A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.25W (Ta), 27.3W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Корпус производителя | 8-HSON (5x5.4) |
| Рабочая температура | 175°C |
|---|