ISL6612BIR

Renesas Electronics America Inc

ISL6612BIR

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

Устаревший10-VFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberISL6612B
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительRenesas Electronics America Inc
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)26ns, 18ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)1.25A, 2A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36 V
Напряжение питания7V ~ 13.2V

Механические

КорпусTube
Package / Case10-VFDFN Exposed Pad
Корпус производителя10-DFN (3x3)

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TJ)