HIP6602BCRZA

Renesas Electronics America Inc

HIP6602BCRZA

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

Устаревший16-VQFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberHIP6602B
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительRenesas Electronics America Inc
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers4
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)20ns, 20ns

Электрические

High Side Voltage - Max (Bootstrap)15 V
Напряжение питания10.8V ~ 13.2V

Механические

КорпусTray
Package / Case16-VQFN Exposed Pad
Корпус производителя16-QFN (5x5)

Среда

Рабочая температура0°C~125°C(TJ)