HAT2201WP-EL-E

Renesas Electronics America Inc

HAT2201WP-EL-E

Аналоговые и силовые компоненты

15A, 100V, N-CHANNEL MOSFET

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 10 V
ПроизводительRenesas Electronics America Inc
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-WPAK

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)