HAT2173H-EL-E

Name: HAT2173H-EL-E
Brand: Renesas Electronics America Inc

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

В производствеSC-100, SOT-669Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 12.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4350 pF @ 10 V
Производитель	Renesas Electronics America Inc
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 20mA

Напряжение сток-исток	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	30W (Tc)

Рабочая температура	150°C(TJ)