HAT1072H-EL-E

Name: HAT1072H-EL-E
Brand: Renesas Electronics America Inc

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK

В производствеSC-100, SOT-669Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 20A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9500 pF @ 10 V
Производитель	Renesas Electronics America Inc
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+10V, -20V

Напряжение сток-исток	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	30W (Tc)

Рабочая температура	150°C(TJ)