H5N3007FL-M0-E#T2

Renesas Electronics America Inc

H5N3007FL-M0-E#T2

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 300V 15A TO220FL

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2180 pF @ 25 V
ПроизводительRenesas Electronics America Inc
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность35W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220FL

Среда

Рабочая температура150°C