Renesas Electronics America Inc
MOSFET N-CH 200V 8A TO252
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 10 V |
| Производитель | Renesas Electronics America Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус производителя | TO-252 (MP-3Z) |