Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7Ohm @ 200mA, 4V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80 pF @ 25 V |
| Производитель | Renesas |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 250 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 750mW (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус производителя | TO-92 |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|