2SJ532-E

Renesas

2SJ532-E

Аналоговые и силовые компоненты

2SJ532 - P-CHANNEL POWER MOSFET

УстаревшийTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1750 pF @ 10 V
ПроизводительRenesas
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность30W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220CFM

Среда

Рабочая температура150°C