2SJ358-T1-AZ

Renesas

2SJ358-T1-AZ

Аналоговые и силовые компоненты

2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET

УстаревшийTO-243AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 10 V
ПроизводительRenesas
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+10V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-243AA
Корпус производителяMP-2

Среда

Рабочая температура150°C