2SB601-AZ

Renesas

2SB601-AZ

Аналоговые и силовые компоненты

2SB601 - PNP SILICON EPITAXIAL T

УстаревшийTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительRenesas
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
Transistor TypePNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 3mA, 3A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Current - Collector Cutoff (Max)10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce2000 @ 3A, 2V
Power - Max1.5 W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220AB

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)