2SB1261(1)-AZ

Renesas

2SB1261(1)-AZ

Аналоговые и силовые компоненты

2SB1261 - PNP SILICON EPITAXIAL

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительRenesas
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 150mA, 1.5A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60 V
Current - Collector (Ic) (Max)3 A
Current - Collector Cutoff (Max)10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 600mA, 2V
Power - Max2 W
Frequency - Transition50MHz

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252 (MP-3Z)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)